透明導電薄膜是許多光電子器件的重要組成部分。目前銦錫氧化物(ITO)由于它的高電導率和透光率,已經(jīng)成為透明導電薄膜的主要材料。但ITO也存在著一些缺點:一方面制備費用昂貴;另一方面一旦其導電性能會大幅下降。因而開發(fā)可替代ITO的新材料成為極為重要的研究課題。 目前,有望替代ITO的透明導電材料有摻雜Zn0、碳納米管、石
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透明導電薄膜是許多光電子器件的重要組成部分。目前銦錫氧化物(ITO)由于它的高電導率和透光率,已經(jīng)成為透明導電薄膜的主要材料。但ITO也存在著一些缺點:一方面制備費用昂貴;另一方面一旦其導電性能會大幅下降。因而開發(fā)可替代ITO的新材料成為極為重要的研究課題。 目前,有望替代ITO的透明導電材料有摻雜Zn0、碳納米管、石
透明導電薄膜是許多光電子器件的重要組成部分。目前銦錫氧化物(ITO)由于它的高電導率和透光率,已經(jīng)成為透明導電薄膜的主要材料。但ITO也存在著一些缺點:一方面制備費用昂貴;另一方面一旦其導電性能會大幅下降。因而開發(fā)可替代ITO的新材料成為極為重要的研究課題。 目前,有望替代ITO的透明導電材料有摻雜Zn0、碳納米管、石墨烯、金屬柵和金屬納米線等。其中金屬納米線中的銅納米線由于具有良好的電學、力學和化學性能,可滿足未來光電器件對材料的要求。同時銅納米線價格低廉與豐富的儲存量,使得對銅納米線的研究也同樣具有重要意義,因此被視為最具潛力的柔性透明電極材料之一。此外由于銅納米線的大長徑比效應,使其在導電膠、導熱膠等方面的應用中也具有突出的優(yōu)勢。
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